電子元器件生產(chǎn)和清洗用水需要使用實驗室超純水機來制備，電子級超純水中國國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T11446.1-1997)細(xì)則如下：

1、范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子級水的級別、要求、試驗方法和檢驗規(guī)則。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件生產(chǎn)和清洗用水。

2、引用標(biāo)準(zhǔn)

下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用麗構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)zui新版本的可能性。

GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則

GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法

GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法

GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法

GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法

GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機碳的測試方法

GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀器測試方法

GB/T 11446.10——1997 電子級水細(xì)菌總數(shù)的濾膜培養(yǎng)測試方法

3、定義

本標(biāo)準(zhǔn)采用下列定義。

3.1 電子級水electronic grade water

制造電子元器件工藝過程中所用的高純水。

3.2 電阻率resistivity

在規(guī)定溫度下,1 cm2水溶液兩相對面之間測得的電阻值。通常用符號P表示，單位為Ω﹒cm，純水的理論電阻率為18.3 MΩ﹒cm (25℃)。

3.3 全硅total silicon

水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。

3.4 可溶性硅soluble silicon

以單一分子狀態(tài)存在于水中的溶解性硅酸鹽。

3.5 微粒性物質(zhì)granular matter

除氣體以外，以非液態(tài)分散在水中，并形成非均相混合物的物質(zhì)。

3.6 總有機碳(TOC) total organic carbon

水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被一般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊方法氧化的有機物。

3.7 吸附absorption

某些多孔性粒狀物質(zhì)由于表面活性作用而具有吸著某些物質(zhì)的能力。

3.8 凝聚coagulation

在源水中加入某種電解質(zhì)后，水中帶有電荷的膠體微粒被電解質(zhì)中的異種電荷中和，從而使其聚集成較大顆粒而沉降的現(xiàn)象。

3.9 絮凝flocculation

水中的微粒在一定條件下相互碰撞而集結(jié)為絮狀沉淀的現(xiàn)象。絮凝一般是在凝聚作用后緩慢進行，可除去水中更細(xì)的微粒。

3.10 砂濾器sand filter

用于盛放不同直徑的砂粒，以除去源水中懸浮固體和混濁物的裝置。

3.11 活性碳過濾器activated carbon filter

裝有粒狀活性碳的過濾器，用于除去水中的可溶性有機物和過量的殘余氯。

3.12 離子交換ion exchange

一種不溶性物質(zhì)與一種液體之間相互交換離子的可逆過程，該過程中物質(zhì)并無實質(zhì)性結(jié)構(gòu)變化。

3.13 去離子水deionized water

經(jīng)過離子交換處理，除去了呈離子形式的雜質(zhì)的高純水。

3. 14 再生regeneration

離子交換過程操作循環(huán)中的一部分。在該部分中，用一定量的化學(xué)試劑通過離子交換樹脂使其恢復(fù)交換能力。

3.15 復(fù)合床complex bed

將陽離子交換樹脂和陰離子交換樹脂分別裝入兩個離子交換柱中，將兩柱串聯(lián)，使水依次通過兩個柱而被純化，復(fù)合床處理水的純度雖不及混合床，但操作較簡單。

3.16 混合床mixed bed

將陽離子交換樹脂和陰離子交換樹脂混合均勻，填充于同一離子交換柱中，其純化效果相當(dāng)于許多組合床串聯(lián)使用，出水質(zhì)量好但再生比較麻煩。

3.17 電滲析electrodialysia

一種分離水中離子的方法。在電滲析器中，陰陽兩極之間用交替排列的陰、陽離子交換膜分隔成一系列小室，水流通過小室時，在直流電場作用下，水中陽離子向陰極方向移動，但不能通過陽膜;陰離子則相反。這樣就形成相間存在的濃、淡水室而達(dá)到提純水的目的。

3.18 反滲透reverse osmosis

亦稱逆向滲透。一種利用滲透原理進行分離的方法。用半透膜將濃水和淡水隔開，并在濃水上施加比滲透壓更強的機械壓力，則濃水中大部分水透過半透膜而雜質(zhì)仍留在其中，達(dá)到分離提純的目的。

3.19 反滲透膜reverse osmosis membrane

用于反滲透法制備純水的一種合成薄膜，其孔徑一般為0. 02 μm或更小，可用于除去無機離子、有機物、細(xì)菌等，使水純化。

3.20 微孔膜濾器membrane filter

一種平均孔徑(直徑)大于0. Olμm的薄膜，能把大于平均孔徑的微粒截留在其表面或附近。

3.21 超過濾uhrafihration

一種過濾方法，在一定壓力下使水流通過超濾膜以除去水中的極細(xì)微粒、膠體和細(xì)菌等。

3.22 終端terminal

高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過各道凈化工藝后，水的出口或使用地點。

4、分類

4.1 電子級水分為四個級別：I級、Ⅱ級、Ⅲ級和Ⅳ級。

4.2 標(biāo)記

I級電子級水標(biāo)記為：EW-I；

I級電子級水標(biāo)記為：EW-Ⅱ；

I級電子級水標(biāo)記為：EW-Ⅲ；

Ⅳ級電子級水標(biāo)記為：EW-Ⅳ。

5、要求

電子級水的技術(shù)指標(biāo)應(yīng)符合表1的規(guī)定。

電子級水技術(shù)指標(biāo)表

6、試驗方法

6.1 電阻率

電子級水的電阻率按GB/T11446.4--1997的測試方法進行測定。

6.2 全硅含量(以二氧化硅計)

電子級水全硅(以二氧化硅計)含量按GB/T11446.6--1997的測試方法進行測定。

6.3 微粒數(shù)

電子級水中微粒數(shù)按GB/T11446.9--1997的測試方法進行測定。

6.4 細(xì)菌總數(shù)

電子級水中細(xì)菌總數(shù)按GB/T11446.10--1997的測試方法進行測定。

6.5 痕量金屬含量

電子級水中痕量金屬的含量按GB/T11446. 5--1997的測試方法進行測定。

6.6 氯離子，硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的含量

電子級水中氯離子、硫酸根離子、硝酸根離子、磷酸根離子等陰離子的含量按GB/T 11446.7-- 1997的測試方法進行測定。

6.7 總有機碳含量

電子級水中總機碳含量按GB/T11446.8--1997的測試方法進行測定。

7、檢驗規(guī)則

7.1 檢驗部門

電子級水的檢驗均應(yīng)在制造廠的水質(zhì)檢驗部門進行。

7.2 檢驗分類

電子級水的檢驗分為交收檢驗和例行檢驗。

7.3 交收檢驗(抽驗項目)

7.3.1 電子級水技術(shù)指標(biāo)中電阻率、鈉離子、全硅(以二氧化硅計)為交收檢驗項目。

7.3.2 在用水終端采樣試驗后檢驗結(jié)果如有一項不合格時，應(yīng)再次采樣進行檢驗，如仍有一項指標(biāo)不合格，應(yīng)提出改進措施直到水質(zhì)合格。

7.4 例行檢驗(全檢項目)

例行檢驗每年進行一次，當(dāng)制水條件發(fā)生變更時也應(yīng)進行例行檢驗。

7.4.1 檢驗項目為表1規(guī)定的全部技術(shù)指標(biāo)要求。

7.4.2 在用水終端采樣后進行例行檢驗，檢驗結(jié)果如有一項以上不合格時，應(yīng)再次采樣進行檢驗，如仍有一項以上指標(biāo)不合格，應(yīng)提出改進措施直到水質(zhì)合格。

8、采樣、貯存、運輸及標(biāo)志

8.1 電子級水的采樣、貯存運輸按GB/T11446.3--1997的規(guī)定。

8.2 標(biāo)志：在用水終端采樣進行檢驗時，水質(zhì)合格后應(yīng)附有檢驗合格證，合格證應(yīng)注明:名稱及級別、各項技術(shù)指標(biāo)、制水單位、供水日期、檢驗員簽章及檢驗日期。

　　以上就是電子級超純水中國國家標(biāo)準(zhǔn)(GBT11446.1-1997)的詳細(xì)內(nèi)容，有需要的朋友可以進行參考。